IPB020N10N5
トランジスター極性 :Nチャンネル
テクノロジー :Si
ID -連続的な下水管の流れ :120 A
マウントスタイル :SMD/SMT
最低動作温度 :- 55 C
パッケージ/ケース :TO-263-3
最大動作温度 :+ 175 C
チャネル モード :強化
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :100V
パッケージ :リール
VgsのTh -ゲート源の境界の電圧 :2.2 V
製品カテゴリー :MOSFET
Rdsのオン下水管源の抵抗 :1.7mOhms
チャンネル数 :1 チャンネル
Vgs -ゲート源の電圧 :20V
Qg -ゲート充満 :紀元後210年
製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ
記述 :MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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