IRFSL3306PBF
製品カテゴリー :MOSFET
Vgs (最大) :±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :120A (Tc)
FETタイプ :Nチャンネル
マウントタイプ :穴を抜ける
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :120nC @ 10V
製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ
最低の量 :1
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :10V
動作温度 :-55°C~175°C (TJ)
FETの特徴 :-
シリーズ :HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :4520pF @ 50V
供給者のデバイスパッケージ :TO-262
部品のステータス :アクティブ
パッケージ :トューブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :4.2 ミリオーム @ 75A、10V
電力損失(最高) :230W(TC)
パッケージ/ケース :TO-262-3は長く、私²朴、TO-262AA導く
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id :4V @ 150µA
流出電圧から源電圧 (Vdss) :60V
記述 :MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
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