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FDS3890

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シティ:hong kong
国/地域:china
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FDS3890

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供給者のデバイスパッケージ :8-SOIC
製品カテゴリー :MOSFET
最低の量 :2500
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :1180pF @ 40V
パッケージ/ケース :8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
部品のステータス :アクティブ
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :4.7A
パッケージ :テープ&リール (TR)
動作温度 :-55°C~175°C (TJ)
FETタイプ :2 N-Channel (二重)
FETの特徴 :論理のレベルのゲート
流出電圧から源電圧 (Vdss) :80V
マウントタイプ :表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :35nC @ 10V
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :44mOhm @ 4.7A, 10V
パワー - マックス :900mW
Vgs(th) (最大) @ Id :4V @ 250µA
シリーズ :PowerTrench®
製造者 :一半
記述 :MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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