製品カテゴリー :MOSFET
Vgs (最大) :±20V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :32A (Ta),180A (Tc)
FETタイプ :Nチャンネル
マウントタイプ :表面マウント
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :74nC @ 4.5V
製造者 :インフィニオン・テクノロジーズ
最低の量 :4800
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :4.5V,10V
動作温度 :-40°C ~ 150°C (TJ)
FETの特徴 :-
シリーズ :HEXFET®
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :6190pF @ 15V
供給者のデバイスパッケージ :DIRECTFET™ MX
部品のステータス :アクティブ
パッケージ :テープ&リール (TR)
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :1.7 mOhm @ 32A, 10V
電力損失(最高) :2.8W (Ta),89W (Tc)
パッケージ/ケース :DirectFET™等大MX
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id :2.35V @ 100µA
流出電圧から源電圧 (Vdss) :30V
記述 :MOSFET N-CH 30V 32A ディレクトフェット
more