TK10A60D
製品カテゴリー :MOSFET
Vgs (最大) :±30V
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :10A (Ta)
FETタイプ :Nチャンネル
マウントタイプ :穴を抜ける
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :25nC @ 10V
製造者 :トシバ
最低の量 :2500
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :10V
動作温度 :150°C (TJ)
FETの特徴 :-
シリーズ :π-MOSVII
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :1350pF @ 25V
供給者のデバイスパッケージ :TO-220SIS
部品のステータス :アクティブ
パッケージ :トューブ
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :750mOhm @ 5A, 10V
電力損失(最高) :45W (Tc)
パッケージ/ケース :TO-220-3完全なパック
テクノロジー :MOSFET (金属酸化物)
Vgs(th) (最大) @ Id :4V @ 1mA
流出電圧から源電圧 (Vdss) :600V
記述 :MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
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