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QPD1015L

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QPD1015L

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トランジスター極性 :Nチャンネル
テクノロジー :GaN SiC
製品カテゴリー :RF JFET トランジスタ
マウントスタイル :スクロール
利益 :20 db
トランジスタタイプ :HEMT
出力 :70W
パッケージ/ケース :NI-360
最大動作温度 :+ 85C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :50V
パッケージ :トレー
ID -連続的な下水管の流れ :2.5 A
Vgs - ゲート・ソース断熱電圧 :145ボルト
Pd - エネルギー分散 :64W
製造者 :Qorvo
記述 :RF JFET トランジスタ DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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