TGF3015-SM
トランジスター極性 :Nチャンネル
テクノロジー :GaN SiC
製品カテゴリー :RF JFET トランジスタ
マウントスタイル :SMD/SMT
利益 :17.1 dB
トランジスタタイプ :HEMT
Pd - エネルギー分散 :15.3W
パッケージ/ケース :QFN-EP-16
出力 :11 W
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :32ボルト
パッケージ :トレー
ID -連続的な下水管の流れ :557mA
Vgs - ゲート・ソース断熱電圧 :- 2.7 V
製造者 :Qorvo
記述 :RF JFET トランジスタ.03-3GHz 増幅 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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