TGF2953
トランジスター極性 :Nチャンネル
テクノロジー :GaN SiC
製品カテゴリー :RF JFET トランジスタ
マウントスタイル :SMD/SMT
利益 :18.2 dB
トランジスタタイプ :HEMT
出力 :41.6 dBm
パッケージ/ケース :死ぬ
最大動作温度 :+150C
Vds -下水管源の絶縁破壊電圧 :32ボルト
パッケージ :ワッフル
最大排水口電圧 :100V
ID -連続的な下水管の流れ :820 mA
Pd - エネルギー分散 :17W
製造者 :Qorvo
記述 :RF JFET トランジスタ DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
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