STGWA60H65DFB
ゲート エミッターの漏出流れ :250nA
製品カテゴリー :IGBTトランジスタ
マウントスタイル :穴を抜ける
25 Cの連続的なコレクター流れ :80A
Pd - エネルギー分散 :375 W
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO :650ボルト
パッケージ/ケース :TO-247-3
最大動作温度 :+ 175 C
最高のゲートのエミッターの電圧 :+/- 20ボルト
構成 :シングル
Collector-Emitterの飽和電圧 :2ボルト
製造者 :STMマイクロ電子機器
記述 :IGBTトランジスタ IGBT&パワーバイポーラー
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