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IS46TR16256AL-125KBLA2 SDRAM - DDR3LメモリIC 4Gbit パラレル800 MHz 20 ns 96-TWBGA
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
仕様 IS46TR16256AL-125KBLA2
| タイプ | 記述 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) |
| 記憶力 | |
| Mfr | ISSI 統合シリコンソリューション株式会社 |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| 製品の状況 | 時代遅れ |
| メモリタイプ | 揮発性 |
| メモリ形式 | DRAM |
| テクノロジー | SDRAM - DDR3L |
| メモリサイズ | 4Gbit |
| 記憶 の 組織 | 256M × 16 |
| メモリインターフェース | パラレル |
| 時計の周波数 | 800 MHz |
| サイクルの時間 - 単語,ページ | 15ns |
| アクセス時間 | 20 ns |
| 電圧 - 供給 | 1.283V ~ 1.45V |
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 96-TFBGA |
| 供給者のデバイスパッケージ | 96-TWBGA (9x13) |
| 基本製品番号 | IS46TR16256 |
特徴についてIS46TR16256AL-125KBLA2
標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
*低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
* 1066 MHz まで の システム 周波数 で 高速 データ 転送 速さ
* 8つの内部バンクで同時運用
* 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
* プログラム可能なCAS遅延
* プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
* プログラム可能な爆発長: 4 と 8
* プログラム可能なバーストシーケンス: シーケンスまたはインターリーブ
* 瞬く間にBLスイッチ
*自動自動更新 (ASR)
*自己更新温度 (SRT)
*リフレッシュ間隔:
- 7.8 US (8192 サイクル/ 64 ms) Tc= -40°C から 85°C
- 3.9 US (8192 サイクル/32 ms) Tc= 85°C から 105°C
* 部分配列 自己リフレッシュ
*アシンクロンRESETピン
* TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
*OCD (オフチップドライバー阻害調整)
* ダイナミックODT (オン・ダイ・ターミネーション)
* ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Leveling を書く
* DLLオフモードで200MHzまで
* 動作温度:
- 商業用 (TC=0°Cから+95°C)
- 工業 (TC=-40°Cから+95°C)
- 自動車,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
- 自動車,A2 (TC = -40°Cから+105°C)
申請についてIS46TR16256AL-125KBLA2
構成:
- 512M×8
- 256Mx16
パッケージ:
- 96ボールのBGA (9mm x 13mm) x16
- 78ボールのBGA (9mm x 10.5mm) x8のために
環境と輸出分類IS46TR16256AL-125KBLA2
| ATRIBUTE について | 記述 |
| RoHS 状態 | ROHS3 に準拠 |
| 湿度感度レベル (MSL) | 3 (168 時間) |
| REACH ステータス | REACH 影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
