TLV9152QDGKRQ1 Emmc メモリ チップ Ic オペアンプ GP 2 回路 8vssop
汎用アンプ 2 回路レールツーレール 8-VSSOP
仕様TLV9152QDGKRQ1
| タイプ |
説明 |
| カテゴリー |
集積回路 (IC) |
| 線形 |
| アンプ |
| 計測機器、OPアンプ、バッファアンプ |
| 製造元 |
テキサス・インスツルメンツ |
| シリーズ |
自動車、AEC-Q100 |
| パッケージ |
テープ&リール(TR) |
| カットテープ(CT) |
| デジリール® |
| 製品の状態 |
アクティブ |
| アンプの種類 |
一般的用途 |
| 回路数 |
2 |
| 出力タイプ |
レールからレールへ |
| スルーレート |
20V/μs |
| ゲイン帯域幅積 |
4.5MHz |
| 電流 - 入力バイアス |
10pA |
| 電圧 - 入力オフセット |
125μV |
| 電流 - 供給 |
560μA (x2チャンネル) |
| 電流 - 出力/チャンネル |
75mA |
| 電圧 - 供給スパン (最小) |
2.7V |
| 電圧 - 供給スパン (最大) |
16V |
| 動作温度 |
-40℃~125℃(TA) |
| 取付タイプ |
表面実装 |
| パッケージ・ケース |
8-TSSOP、8-MSOP (0.118インチ、3.00mm幅) |
| サプライヤーデバイスパッケージ |
8-VSSOP |
の特徴TLV9152QDGKRQ1
• 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
– 温度グレード 1: –40°C ~ +125°C、TA
– デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
– デバイス CDM ESD 分類レベル C6
• 低いオフセット電圧: ±125 μV
• 低いオフセット電圧ドリフト: ±0.3 µV/°C
• 低ノイズ: 1 kHz で 10.8 nV/√Hz
• 高いコモンモード除去: 120 dB
• 低バイアス電流: ±10 pA
• レールツーレール入出力
• 広い帯域幅: 4.5 MHz GBW
• 高スルーレート: 21 V/μs
• 低い自己消費電流: アンプあたり 560 µA
• 幅広い電源: ±1.35 V ~ ±8 V、2.7 V ~ 16 V
• 堅牢な EMIRR 性能: 入力ピン上の EMI/RFI フィルター
アプリケーション のTLV9152QDGKRQ1
• AEC-Q100 グレード 1 アプリケーション向けに最適化
• インフォテイメントとクラスター
• 受動的安全性
• ボディエレクトロニクスと照明
• HEV/EV インバーターおよびモーター制御
• オンボード (OBC) およびワイヤレス充電器
• パワートレイン電流センサー
• 先進運転支援システム (ADAS)
• ハイサイドおよびローサイドの電流検出
環境および輸出の分類TLV9152QDGKRQ1
| 属性 |
説明 |
| RoHS ステータス |
適用できない |
| 感湿性レベル (MSL) |
1 (無制限) |
| ECCN |
EAR99 |
| HTSUS |
8542.33.0001 |