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transistor mos

1 - 20 の結果 transistor mos から 51 製品

FDS6699SのトランジスターMOSの管NチャネルSOIC-8 製品の説明: 1.プロダクト モデル:FDS6699S 2.記述: MOSFET 3. FDS6699SのトランジスターMOSFET Nチャネル21 A 30 V 3.6 MoHM 10ボルト1.4 V 4.極端.........

Time : Nov,24,2024
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TC1797-512F180EF AC集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオード元の電子BGAの部品SAK-TC1797-512F1 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用するために喜.......

Time : Nov,28,2024
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IPD70R1K4CE、IPS70R1K4CE FET 700V CoolMOS CEパワートランジスタMOSチューブ 特徴 •非常に低いFOM Rdson * QgとEossによる極めて低い損失 •非常に高い整流耐久性 •使いやすい/運転 •鉛フリーメッキ、ハロゲンフリーモ.........

Time : Jan,14,2025
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製品の説明 型式番号MTP30P05パッケージTO-220日付コード18+パッキングテープおよび巻き枠の管標準的十分に標準的製造者Quanyuantongの電子工学Co.、株式会社調達期間48hours質の保証360日 YonlandaSkype: qyt-yolanda1電子メー.........

Time : Dec,02,2024
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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......

Time : Dec,04,2024
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質が良い電子部品中国GSエレクトロニクスからのサプライヤー 製品:AD623ARZ 製品説明:AD623ARZは,低コストで,精密な計測器のアンプで,小さな差異信号の正確な増幅を必要とするアプリケーションのために設計されています.優れたインプットオフセット電圧漂流AD623ARZは,手頃な価格.........

Time : May,31,2024
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速い切換えの時間Mosの電界効果トランジスタ、電源スイッチのトランジスター Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXF.........

Time : May,30,2024
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TK13A60D (STA4、Q、M)東芝の電界効果トランジスタ13A 600V 0.33オームのN-Channel MOS 東芝の電界効果トランジスタのケイ素NチャネルMOSのタイプ 適用 転換の電圧安定器 記述 東芝π MOSのVII MOSFETsは10Vゲート ドライブ、π MOS.........

Time : Nov,28,2024
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IC 3 Pin のトランジスター 2SK3797 MOS の電界効果トランジスタの在庫の提供 2SK3797 電界効果トランジスタのケイ素 N チャネル MOS のタイプ 切換え調整装置の塗布 • 抵抗の低い下水管源: RDS () = 0.32Ω.........

Time : May,30,2024
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高電圧MOSゲートトランジスタ 製品説明: 高電圧MOSFETは,組み込みFRDを持つ超高電圧MOSゲートトランジスタで,タイプNです.モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションなどに広く使用されています..新しい横変形ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造.........

Time : Dec,26,2024
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統合回路チップ IXBH10N300HV 3000V モノリティックバイポーラ MOS トランジスタ 180W 製品説明IXBH10N300HV IXBH10N300HVは高電圧,高加益の BIMOSFETTM モノリシックバイポーラ MOS トランジスタです. 仕様IXBH10N300H.........

Time : Nov,30,2024
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ダイオードの三極管MOS/PNP/NPNのコンデンサーの抵抗器TrのためのShopifyのdropship TC1のトランジスター テスターのマルティメーターの表示TFT 製品の説明: これは費用efectiveおよび広く利用されたトランジスター探知器である。(NPNおよびPNPのト.........

Time : Jul,06,2024
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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5A 16チャンネルPLCトランジスタモジュールサーボシステム用24V NPN / PNP入力信号 トランジスタ増幅板は非接触で、DC24Vは5-24Vで制御され、トランジスタ増幅板は大電流と小電流タイプ、大電流MOSチューブ、小電流ダーリントンチューブ、油圧ソレノイドバルブコイル、電磁スイッチ、.......

Time : Dec,09,2024
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BSH201 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA (Ta)の417mW (Ta)表面の台紙 Pチャネルの強化モードBSH201 MOSのトランジスター 特徴の記号の即時参考データ•低い境界の電圧VDS = -60ボルト•速い切換え•論理の水平な互換性があるID = -0.3 ......

Time : Nov,20,2020
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