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pnp power darlington transistor

1 - 20 の結果 pnp power darlington transistor から 167 製品

TIP102 TIP107 ケイ素力のダーリントンの補足のトランジスター ■ STMicroelectronicsによって好まれるSALESTYPES ■補足PNP - NPN装置 ■の統合されたANTIPARALLELコレクター エミッターのダイオード 適用 ■の線.........

Time : May,30,2024
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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

Time : Jun,22,2025
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MJD122T4G ダリングトントランジスタ 8A 100V 双極電源 NPN 製造者: 一半 製品カテゴリー: ダーリングトントランジスタ RoHS について 詳細 構成: シングル トランジスタの偏性: NPN コレクター-エミッター 電圧 VCEO マックス: 1.........

Time : Mar,31,2025
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Infineon Pnp力トランジスターIRF9530PBF -100V -14A 200 MOhms 1つのP-Channel 38.7 NC 適用 高められた険しさ 配分パートナーからの広い供給 業界標準の資格 低頻度の適用の高性能 標準的なピンはdrop-inの取り替えを可能に.........

Time : Nov,28,2024
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ULN2003ADR ICの破片の高圧高現在のダーリントンのトランジスター配列 両極(BJT)トランジスター配列7 NPNダーリントン50V 500mA 16-SOIC 製造業者 テキサス・インスツルメント シリーズ -.........

Time : Nov,30,2024
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TIP127 ダーリントン トランジスタ IC チップ 集積回路 IC チップ IC 製品説明 部品番号 #ヒント127ST Technologies によって製造され、Jalixin によって販売されています。電子製品の大手販売代理店の 1 つとして、当社は世界の.........

Time : Nov,26,2024
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テキサス・インスツルメントULN2803ADW SOIC-18ダーリントンのトランジスター 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリスタが含まれている。分離した半導体製品......

Time : Nov,29,2024
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ダイオードの三極管MOS/PNP/NPNのコンデンサーの抵抗器TrのためのShopifyのdropship TC1のトランジスター テスターのマルティメーターの表示TFT 製品の説明: これは費用efectiveおよび広く利用されたトランジスター探知器である。(NPNおよびPNPのト.........

Time : Jul,06,2024
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製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

Time : Nov,26,2024
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

Time : Sep,11,2023
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FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel (二重)非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

Time : Nov,24,2024
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IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........

Time : Nov,30,2024
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トランジスターSCT055HU65G3AG HU3PAK自動車等級SIC力MOSFETのトランジスター SCT055HU65G3AGの製品の説明 SCT055HU65G3AGは自動車等級の炭化ケイ素力MOSFETのトランジスター、650Vの58mΩタイプ。、HU3PAKのパッケージの30A.........

Time : Apr,21,2025
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製品説明: 高功率 IGBT 高電源隔離ゲート双極トランジスタ (High Power Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) は,搭載充電器,溶接機,電源交換,光伏インバーター,エネルギー貯蔵高電力IGBTは,電流密度400A/cm2とより速いスイッチ........

Time : Dec,26,2024
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バッテリータブスポット溶接機 高電力 10000A トランジスタ電源 設備の導入 ●NB/パワーツール/ガーデニングツール/ハイパワー/電源ステーションバッテリー/電気モーターサイクル/電気自動車などのモジュール式リチウム電池パックのスポット溶接に適しています.そして,リチウム電池パック生産ライン.......

Time : Jun,22,2025
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ワイヤレス充電のための実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V 特徴: 製品名:低電圧MOSFET 利点: システム の 効率 向上 効率: 高 効率 で 信頼 できる 抵抗: Rds (オン) 低 材料: シリコン 電力消費: 低電力損失 熱耐性 自動車運転 先進的な溝技術.........

Time : Mar,31,2025
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航空部品MJ11033Gダーリントンのトランジスター エミッターの基礎電圧5 V 航空部品の記述: High−Currentの補足のケイ素力トランジスターは補足の一般目的のアンプの塗布の出力装置として使用のためである。 航空部品の特徴: •高いDCの現在の利益−のhFE = 1000 (.........

Time : Nov,29,2024
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SOT-323 3904W /3906W NPNとPNP シリコン 特徴 - このトランジスタは,一般的な用途のアンプアプリケーションのために設計されています. 低出力表面マウント用用に設計されたSOT323/SC70で - Pbフリーパッケージが用意されています. 一般目的のアンプトラ.........

Time : Nov,19,2024
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