low gate threshold voltage mosfet

高耐久性 シリコン 低ゲート 限界電圧 モスフェット TO-251 製品説明: MOSFETは高品質のシリコン材料で 耐久性と信頼性を保証しています また 鉛のない状態で 環境保護のための RoHS 基準を満たしていますMOSFETは,TO-251という3つの異なるパッケージで利用可能であ.........

トレンチ/SGT構造プロセスにおけるDC/DC変換器の高いEAS能力を持つ低しきい電圧MOSFET 製品説明: 低電圧 MOSFET - 電力 需要 に 対する 理想 的 な 解決策! 低電圧と低抵抗 (Rds(ON) を備えた低電圧モスフェット (Low Voltage MOSFET) より,........

Infineon MOSFET N CH 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3はInfineonの第3一連の600V CoolMOS™ C3のためのCoolMOS™の取り替えであるCoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3であ......

20V N+Nチャネルの強化モードMOSFET 記述 8H02ETSusesは堀の技術をに進めた 優秀なRDS （）、低いゲート充満を提供しなさい 2.5V低いゲートの電圧の操作。 概要の特徴 VDS = 20V、ID = 7A 8H02TS RDS （）.........

N-channel 800 Vの0.19 Ωのタイプ。、D2PAK、TO-220FP、TO-220の19.5のMDmesh™ K5力のMOSFETs そしてTO-247パッケージ 適用 •転換の適用 記述 これらの非常に高圧N-channel力のMOSFETsはMDmesh™ K5の技術.........

AOD417 D417 Pチャネル30V 25A 2.5W 50Wの表面の台紙TO-252 概説 AOD417は高度の堀の技術のtoprovide優秀なRDS （）、低いゲート充満および低いゲートの抵抗を使用します。優秀な熱resistanceofによってDPAKのパッケージは、この装置うってつけ......

低電圧電界効果トランジスタ電源モジュールSMDホールのバージョンスルーPKF4510PI 3-7 W DC / DCパワーモジュール48 V入力シリーズ •SMDおよびスルーホールバージョンと 超低部品の高さ8.0ミリメートル（0.315で） •83％の効率（5Vで標準） •1.........

高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者の導入IX4424NTR IX4424Nの有効な、信頼できる二重MOSFET DRVR Bitmainの電源の取り替えを達成しなさい 高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者、完全なBitmain APW7のための取り替え、.........

集積回路の破片NTMFS4C024NT1GのN-Channelのトランジスター30V 5-DFNパッケージ 特徴 伝導の損失を最小にする低いRDS （） 運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス 転換の損失を最小にする最大限に活用されたゲート充満 これらの装置はPb−Freeの.........

FDC608PZ MOSFET -20V Pチャネル 2.5V パワートランチ MOSFET 製造者: 一半 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOT-6 トラン.........

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

製品名: FQA11N90F109速い細部: FQA11N90F109は11Aの最高の下水管の流れおよび0.109オームの低いオン州の抵抗の900V N-channel MOSFETである。指定: 最高の電圧評価:900V 最高の下水管の流れ:11A オン州の抵抗:0.........

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A SOT-563-6 メーカー: ROHMセミコンダクター製品カテゴリ:MOSFETテクノロジー: Si設置スタイル:SMD/SMTパッケージ/箱:SOT-563-6トランジスタの極度:Nチャンネルチャンネル数: 2チャン.........

INFINEONチップ IPD90N04S4-04 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 製造者: インフィニオン 製品カテゴリー: MOSFET テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: TO-252-3 トラン.........

元の新しいMOSFET NPNのトランジスターPNP SOT-23 （SOT-23-3） LN2306LT1G プロダクト 記述: 1. TRANS MOSFET N-CH 30V 5.8A 3 Pin SOT-23 T/R 2.ダイオードおよび整流器のN-channel 30V 5.8A.........

製品範囲 IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布 MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220 Appの特徴 非.........

DRV8106-Q1ワイドコモンモードインライン電流検出アンプICを備えた自動車用ハーフブリッジスマートゲートドライバ 説明： DRV8106-Q1は、高度に統合されたハーフブリッジゲートドライバであり、ハイサイドおよびローサイドのNチャネルパワーMOSFETを駆動できます。ハイ.........

航空部品IRFL4315TRPBF MOSFETの下水管源の絶縁破壊電圧150 V 航空部品の記述: MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 19nC 航空部品の特徴: 減るために充満を流出させる低いゲート.........

基本1500VDCのPA0173NL、PA0184NL SMTのゲート ドライブ変圧器および機能絶縁材 SMTのゲート ドライブ変圧器は何であるか。 ゲート ドライブ変圧器はMOSFETのゲートの運転に使用するように設計されている一種の変圧器であるMOSFETのゲートを運転するときスイッチ ノー........