high side igbt driver

2SC0108T2G0-17力管理モジュールは二倍になるCHのスケール1700V IGBTの運転者HVICの包装の皿の部品の状態活動的な運転された構成高側または低側のチャネル タイプ運転者2のゲートのタイプIGBTの電圧-供給14.5 V | 15.5ボルトの論理の電圧-の独立した数VIL、VIH ......

JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

IR2130STRPBF 3-PHASE橋運転者の高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすた.........

高い発電EPF 10K10高圧および高い現在の転換の適用のために完全なTC144- 4 IGBTモジュール プロダクト リスト: 製品名:EPF10K10TC144-4 IGBT力モジュール 記述:EPF10K10TC144-4は統合された自由奔放なダイオードが付いている高い発電IGBT.........

IR2130STRPBF 3-PHASE橋運転者の高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすた.........

製品説明: 高功率 IGBT 高電源隔離ゲート双極トランジスタ (High Power Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) は,搭載充電器,溶接機,電源交換,光伏インバーター,エネルギー貯蔵高電力IGBTは,電流密度400A/cm2とより速いスイッチ........

消費電子機器のための高インプットインペデンス高電力IGBT 製品説明: このIGBTデバイスは,設置・保守が容易なTO-247パッケージタイプで提供されています.パッケージは耐久性と長寿性を保証する高品質の材料で作られています. ハイパワーIGBTの重要な特徴の1つは,さまざまな機器の効率的かつ........

新しいおよびOrignal三菱FCUA-DX1111遠隔入力/出力モジュールFCUADX1111 製品の説明 製造業者三菱適用鉱山機械型式番号三菱FCUA-DX111モデル シリーズ三菱FCUAシリーズ記述遠隔入力/出力モジュール特徴遠隔入力/出力モジュール分類電子工学条件元の箱で新しい保証1年国.......

FF450R12KT4 IGBT電源トランジスタモジュール 450A 1200V 高圧Igbt電源モジュール IGBTモジュール N-CH 1.2KV 580A 記述 私はについてFF450R12KT4高性能の電源半導体モジュールで 現代の電子システムの要求に応えるように設計されていますこの.........

自動車用 IGBT モジュール F450R07W1H3B11ABOMA1 高速 IGBT モジュール 650V 50A F450R07W1H3B11ABOMA1の概要 高速 TRENCHSTOP™ IGBT3、Rapid 1 ダイオード、PressFIT / NTC.........

3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 （J）及び（PbF） 製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........

6MBP100RTA060-01 IGBT力モジュールIPM-N 600V 100A 特徴·温度の保護は直接接続点を検出することによって提供しましたIGBTsの温度·低い電力の損失および柔らかい切換え·過熱する保護の高性能および高い信頼性IGBT·部品の総計の大きい減少のためにより高い信頼性組込み.......

FS820R08A6P2BBPSA1 SP001499708 Infineon IGBTモジュールの雑種のパック ドライブ FS820R08A6P2B 製造業者:Infineon製品タイプ:IGBTモジュール構成:6パックCollector-emitterの最高の電圧VCEO:.........

NCP5111DR2Gの高圧高低の側面の運転者IC NCP5111はディレクト・ドライブに2出力を提供する高圧力のゲートの運転者である 2つのN−channel力のMOSFETsの またはIGBTsはhalf−bridge構成で整理した。 それはhigh−sideの電源スイッチ.........

インフィニオン・テクノロジーズ自動車IGBTモジュールの高い発電のコンバーターFF1200R12IE5モーターは運転します 典型的な適用•高い発電のコンバーター•モーター ドライブ•UPSシステム 電気特徴•操作延長実用温度Tvj•高い短絡の機能•打ち負かされない強さ•操作Tvj.........

誘導加熱はである何誘導加熱、誘導加熱、インダクション・コイル、のための誘導の炉販売、インダクション・コイルのヒーター、誘導coils.inductiveのヒーター、装置、販売のための誘導電気加熱炉、焼きなまし装置、誘導加熱、誘導加熱、高周波誘導加熱理論、中国40KVA広元市インバーター電気装.........