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NVMFS5113PLT1G MOSFET パワー エレクトロニクス
説明: NVMFS5113PLT1G は、MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。これは、回路内の電流の流れを制御するために使用できる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) の一種であるパワー トランジスタです。
特徴：
• 堅牢で信頼性の高い
• 低いオン抵抗と低いゲート電荷
• 低い出力容量
• 高速スイッチング速度
• ゲート・ソース間閾値電圧が低い
• 低いゲート・ドレイン間容量
• 高い消費電力
• 高電流処理能力
• 高温動作
アプリケーション:
• モーター制御
• パワー管理
• 直流電力送信機
・インバータ回路
• バッテリー充電器回路
・スイッチング電源
• 電圧調整
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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14ミリオーム @ 17A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.5V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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83nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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4400 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.8W(Ta)、150W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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