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Nチャンネルパワートレンチ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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6V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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36ミリオーム @ 32A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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28nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1250 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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95W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-252AA
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パッケージ・ケース
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特徴
・rDS(ON) = 32mΩ (標準)、VGS = 10V、ID = 32A
• Qg(tot) = 18.5nC (標準値)、VGS = 10V
• 低ミラー料金
• 低QRRボディダイオード
• UIS 機能 (単一パルスおよび反復パルス)
• AEC Q101 に準拠
アプリケーション
• DC/DC コンバータおよびオフライン UPS
• 分散型電源アーキテクチャと VRM
• 24V および 48V システム用のプライマリ スイッチ
• 高電圧同期整流器
・直噴・ディーゼル噴射システム
• 42V 自動車負荷制御
• 電子バルブトレインシステム
