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WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED

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2SC5566-TD-E

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トランジスター極性 :NPN

製品カテゴリー :両極トランジスター- BJT

マウントスタイル :SMD/SMT

最高コレクターのエミッターの電圧VCEO :- 50V,50V

パッケージ/ケース :PCP-3

最大動作温度 :+150C

利益帯域幅プロダクトfT :360 MHz,400 MHz

構成 :シングル

コレクターの基礎電圧VCBO :- 50V,100V

シリーズ :2SC5566

エミッターの基礎電圧VEBO :- 6V 6V

Collector-Emitterの飽和電圧 :- 105V,85V

製造者 :単体

記述 :双極トランジスタ - BJT BIP NPN 4A 50V

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2SC5566-TD-Eは,onsemiのバイポーラトランジスタです. BJTは,私たちが提供するものは,グローバル市場で競争力のある価格で,オリジナルと新しい部品で提供されています.商品についてもっと知りたかったり価格を低くしたい場合はオンラインチャットでご連絡ください!

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