MT29F256G08CJAAAWP-Z:フラッシュ・メモリの破片の高性能の貯蔵あなたの装置
型式番号:MT29F256G08CJAAAWP-Z:
原産地:元
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
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MT29F256G08CJAAAWP-Z:フラッシュ・メモリの破片の高性能の貯蔵あなたの装置
MT29F256G08CJAAAWP-Z:フラッシュ・メモリは欠ける
製品の説明:
MT29F256G08CJAAAWP-Z:フラッシュ・メモリの破片は一般目的の適用のために設計されている高性能フラッシュ・メモリの破片である。破片は256Mb （32M x 8） CMOSの64K単語の4,096のブロックとして組織される多重レベル細胞（MLC）を否定論履積のフラッシュ・メモリの配列特色にする。破片は1.5秒までの延長消去の時間を含む25MHz時計サイクルそして高度の読み書き特徴が付いている高性能インターフェイスを、提供する。破片はまたローパワー スタンバイおよびアクティブ・モードを特色にし、電圧レベルの広い範囲と互換性がある。
プロダクト変数:
•記憶配列:256Mb （32M x 8） CMOSの多重レベル細胞（MLC）否定論履積のフラッシュ・メモリの配列
•時計サイクル:25MHz
•消去の時間:1.5秒まで
•電力要求事項:ローパワー スタンバイおよびアクティブ・モード
•電圧レベル:電圧レベルの広い範囲と互換性がある
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