FDM6675BZの高度の熱管理との高周波高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクス
型式番号:FDMC6675BZ
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-3幾日
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
FDM6675BZの高度の熱管理との高周波高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクス
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 14.4mOhm @ 9.5A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 65 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±25V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 2865 pF @ 15ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 2.3W （Ta）、36W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-MLP （3.3x3.3） | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDMC6675BZのN-Channel MOSFETのパワー エレクトロニクス
特徴:
•650V下水管源の電圧
•230A 25°Cの連続的な下水管の流れ
•低いゲート充満
•速い切換え
•低いオン抵抗
•迎合的なRoHS
適用:
•運動制御
•転換の電源
•力インバーター
•動力工具
•充電器
•家庭電化製品
•産業オートメーション
•制御をつけること
•装置AVの
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FDM6675BZの高度の熱管理との高周波高い発電MOSFETのパワー エレクトロニクス
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