PBSS4112PANPの115力MosfetのトランジスターNPN/NPN低いVCEsat （BISS）トランジスター

PBSS4112PAN

120ボルト、1 NPN/NPN低いVCEsat （BISS）のトランジスター

概説

無鉛の中型力DFN2020-6 （SOT1118）表面取付けられた装置（SMD）プラスチック パッケージの小さい信号（BISS）のトランジスターのNPN/NPN低いVCEsatの進歩。NPN/PNPの補足物:PBSS4112PANP.PNP/PNPの補足物:PBSS5112PAP.

特徴および利点

•まさに低いcollector-emitterの飽和電圧VCEsat

•高いコレクター流れの機能ICおよびICM

•高いICの高いコレクターの現在の利益hFE

•減らされたプリント回路板（PCB）条件

•より少ない熱生成による高エネルギーの効率

•AEC-Q101は修飾した

適用

•負荷スイッチ

•電池主導の装置

•力管理

•充満回路

•電源スイッチ（例えばモーター、ファン）

限界値

絶対最高評価システム（IEC 60134）に従って。

[FR4 PCB、single-sided µmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡35に取付けられる1つの]装置。

[FR4 PCBに、スズメッキをされるsingle-sided 35のµmの銅のストリップ線路取付けられる2]装置コレクターのための据付パッド1つのcm2。

[4層PCB 35のµmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡に取付けられる3]装置。

[4層PCB 35のµmのスズメッキをされる銅のストリップ線路 コレクターのための据付パッドに取付けられる4]装置1つのcm2。

[FR4 PCB、single-sided µmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡70に取付けられる5]装置。

[FR4 PCBに、スズメッキをされるsingle-sided 70のµmの銅のストリップ線路取付けられる6]装置コレクターのための据付パッド1つのcm2。

[4層PCB 70のµmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡に取付けられる7]装置。

[4層PCB 70のµmのスズメッキをされる銅のストリップ線路 コレクターのための据付パッドに取付けられる8]装置1つのcm2。

標準的な提供（熱い販売法）

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