IR21091S電子ICはデジタル集積回路の運転者ICを欠く
型式番号:IR21091S
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:7900pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| LM2662MX | 5344 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| LM2663M | 6856 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LM2675MX-5.0 | 5274 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| LM2675MX-ADJ | 5415 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
| LM2734YMK | 12799 | チタニウム | 16+ | SOT23-6 |
| LM2767M5X | 6927 | NSC | 16+ | SOT23-5 |
| LM2825N-ADJ | 1525 | NSC | 06+ | DIP-24 |
| LM2842YMK-ADJL | 4655 | チタニウム | 16+ | SOT23-6 |
| LM285MX-1.2 | 5929 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LM2901DR2G | 104000 | 13+ | SOP | |
| LM2902DR2G | 77000 | 15+ | SOP | |
| LM2903DR2G | 107000 | 15+ | SOP | |
| LM2903IMX | 13191 | FSC | 11+ | SOP-8 |
| LM2904DR2G | 82000 | 16+ | SOP-8 | |
| LM2904MX | 11700 | NS | 15+ | SOP-8 |
| LM2904P | 20000 | チタニウム | 16+ | TSSOP-8 |
| LM2904QPWRQ1 | 6065 | チタニウム | 14+ | TSSOP-8 |
| LM2907N-8 | 8781 | NS | 97+ | DIP-8 |
| LM2917N-8 | 6580 | NS | 13+ | DIP-8 |
| LM2931AD-5.0R2G | 19723 | 16+ | SOP-8 | |
| LM2931CDR2G | 14829 | 16+ | SOP-8 | |
| LM2931CDR2G | 10000 | 15+ | SOP-8 | |
| LM2936MPX-3.3 | 9351 | チタニウム | 14+ | SOT-223 |
| LM2936Z-5.0 | 3406 | NS | 05+ | TO-92 |
| LM2937ESX-3.3 | 9135 | NSC | 07+ | TO-263 |
| LM2937IMPX-3.3 | 1862 | チタニウム | 16+ | SOT-223 |
| LM2940CSX-5.0 | 8095 | NS | 14+ | TO-263 |
| LM2940S-5.0 | 10367 | NS | 16+ | TO-263 |
| LM2940SX-5.0 | 8852 | NS | 15+ | TO-263 |
| LM2941CT | 5900 | NS | 00+ | TO-220 |
IR21091及び（PbF）
HALF-BRIDGEの運転者
特徴
•免疫がある否定的で一時的な電圧dV/dtに耐久性がある+600Vに完全に機能したブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•互換性がある3.3V、5Vおよび15V入力論理
•交差伝導の防止の論理
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•入力のとの段階の高い側面の出力
•論理および力の地面+/- 5Vオフセット。
•1つの外的なRDTの抵抗器を搭載する5usまで内部500ns死時間およびプログラム可能
•よりよいノイズ耐性のためのより低いdi/dtのゲートの運転者
•二重機能DT/SDピン入力は両方のチャネルを消す。
•無鉛で利用できる
記述
IR21091は高圧の、高速力MOSFETであり、依存した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。
論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者のcrossconductionのために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。
プロダクト概要
VOFFSET 最高600V。
IO +/- 120 mA/250 mA
VOUT 10 - 20V
トン/（タイプ。） 680及び170 ns
不感時間 500 ns
（5uSまでプログラム可能）
絶対最高評価
絶対最高評価は装置へのどの損傷が起こるかもしれないかを越える支えられた限界を示す。すべての電圧変数はCOMに参照される絶対電圧である。熱抵抗および電力損失の評価は取付けられる板およびまだ空気状態の下で測定される。
| 記号 | 定義 | 分 | 最高 | 単位 | |
| VB | 絶対電圧を浮かべる高い側面 | -0.3 | 625 | V | |
| 対 | 高い側面の浮動の供給のオフセット電圧 | VB - 25 | VB + 0.3 | ||
| VHO | 高い側面の浮動の出力電圧 | - 0.3対 | VB + 0.3 | ||
| VCC | 低い側面および論理の固定供給電圧 | -0.3 | 25 | ||
| VLO | 低い側面の出力電圧 | -0.3 | VCC + 0.3 | ||
| DT/SD | プログラム可能な死時間および操業停止ピン電圧 | VSS - 0.3 | VCC + 0.3 | ||
| VIN | 論理の入力電圧 | VSS - 0.3 | VCC + 0.3 | ||
| dVS/dt | 正当なオフセットの供給電圧のトランジェント | - | 50 | V/ns | |
| PD | パッケージの電力損失@ TAの≤ +25°C | （8鉛PDIP） | - | 1.0 | W |
| （8鉛SOIC） | - | 0.625 | |||
| RthJA | 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | （8鉛PDIP） | - | 125 | °C/W |
| （8鉛SOIC） | - | 200 | |||
| TJ | 接合部温度 | - | 150 | °C | |
| TS | 保管温度 | -50 | 150 | ||
| TL | 鉛の温度の（はんだ付けする、10秒） | - | 300 | ||
パッケージ
典型的な関係
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