LQP03TN2N7B02D 2.7nH 高周波インダクタ 0201 サイズ 高SRF（>8GHz） 高精度 ±0.1nH 高Q 低DCR セラミック構造 AEC-Q200 準拠 テープ＆リール梱包

LQP03TN2N7B02D 2.7nH 高周波インダクタ、0201 サイズ、高 SRF（>8GHz）、高精度（±0.1nH）、高 Q、低 DCR、セラミック構造、AEC-Q200 準拠、テープ＆リール梱包

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特徴

1：コンポーネントタイプ： 高周波多層セラミックインダクタ。

2：インダクタンス値： 2.7 nH。これは比較的小さなインダクタンス値であり、高周波信号処理やデータ伝送回路に非常に適しています。

3：サイズ： 0201 パッケージ。フットプリントはわずか 0.6mm x 0.3mm で、業界最小クラスの標準パッケージの 1 つです。この超小型サイズは、スマートフォン、ウェアラブルデバイス、RF モジュールなど、PCB への高密度実装に最適です。

4：許容差： ±0.1 nH。高精度により、安定した回路性能が保証されます。これは、正確なインピーダンス整合を必要とする RF 回路にとって重要です。

5：定格電流： 小型ながら、ある程度の電流を処理できます。通常、飽和電流は数百 mA 程度（詳細はデータシートを参照）であり、ほとんどの小信号 RF アプリケーションに十分です。

6：Q ファクター： 高 Q 値。ターゲット動作周波数において、このコンポーネントは非常に高い品質係数を示し、その誘導性リアクタンスが抵抗損失よりも大幅に大きくなります。これは、フィルタや整合ネットワークなど、低挿入損失と高効率を必要とする RF アプリケーションにとって重要な特性です。

7：自己共振周波数： 高 SRF。自己共振周波数は通常 GHz 帯域であり、ターゲット動作周波数帯域内で純粋なインダクタとして安定した性能を保証します。

8：DC 抵抗： 低 DCR。非常に低い DC 抵抗を備えており、電力損失と発熱を抑制するのに役立ちます。

9：信頼性： セラミック構造 を使用しており、優れた機械的強度と耐熱性を提供します。このコンポーネントは通常、AEC-Q200 規格に準拠しており、要求の厳しい 自動車エレクトロニクス および 産業用途 に適していることを示しています。

10：パッケージング： テープ＆リール梱包 で供給され、自動 SMT 生産ラインと完全に互換性があり、大規模で高効率な製造プロセスに適しています。

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アプリケーション

andbull; 電源機器：再生可能エネルギー機器、エネルギー貯蔵機器、EV 充電機器など、人命と財産の保護に直接関係しない機能を備えた電源機器で使用できる製品。

andbull; 産業機器：基地局、製造装置、産業用ロボット装置、測定装置など、人命と財産の保護に直接関係しない機能を備えた産業機器で使用できる製品。

andbull; 医療機器（GHTF クラス C）*インプラント/手術/自動注射器を除く：国際分類クラス GHTF のクラス C の医療機器に使用でき、その誤動作が人体に比較的高いリスクをもたらすと見なされる製品。

andbull; 医療機器（GHTF クラス A および B）：国際分類クラス GHTF のクラス A およびクラス B によって規制されている医療機器に使用でき、その機能が人命と財産の保護に直接関係しない製品。

andbull; 民生機器：家電製品、オーディオ/ビジュアル機器、通信機器、情報機器、オフィス機器、家庭用ロボットなど、人命と財産の保護に直接関係しない機能を備えた民生機器で使用できる製品。

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説明

LQP03TN2N7B02D は、村田製作所が製造する超小型、高周波、高 Q 多層セラミックインダクタであり、LQP03T シリーズに属します。スペースと性能に対する極端な要求を持つ最新の電子回路向けに特別に設計されています。

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情報

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図面

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製品リスト
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強力なブランド：
Microchip、MAX、AD、TI、ATMEL、ST、ON、NS、Intersil、Winbond、Vishay、ISSI、Infineon、NEC、FAIRCHILD、OMRON、YAGEO、TDK など

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