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STF28NM50N パワー MOSFET 500V/28A 評価低 0.135Ω Rds ((オン) 急速スイッチ アヴァランス 頑丈なエコモード 低ゲート充電 TO-220FP パッケージ RoHS SMPS & モータードライブに認定
特徴
• 100% 雪崩テスト
• 入力容量とゲート充電が低い
• ゲート入力抵抗が低い
申請
• アプリケーションを切り替える
記述
このデバイスは第2世代のMDmesh技術を使用して開発されたNチャネルパワーMOSFETです.この革命的なPower MOSFETは 垂直構造を同社のストライプレイアウトと結びつけ 抵抗とゲートチャージで 世界で最も低いものを生み出していますしたがって,最も要求の高い高効率の変換機に適しています.
情報
カテゴリー | ||
Mfr | ||
シリーズ | ||
パッケージ | トューブ | |
部品のステータス | アクティブ | |
FETタイプ | ||
テクノロジー | ||
流出電圧から源電圧 (Vdss) | 500V | |
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) | 10V | |
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10.5A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250μA | |
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (最大) | ±25V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1735 pF @ 25 V | |
FET 特徴 | - | |
電力消耗 (最大) | 35W (Tc) | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
グレード | - | |
資格 | - | |
マウントタイプ | 穴を抜ける | |
供給者のデバイスパッケージ | TO-220FP | |
パッケージ/ケース | ||
基本製品番号 |
図面
利点は携帯電話,PDA,ノートPC
部品の種類をすべて満たすようにしてください.やってみろ
製品リスト
電子コンポーネントのシリーズ,半導体,アクティブ&パシブコンポーネントの完全な範囲を供給します.
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提案は以下の通りです
統合回路,メモリIC,ダイオード,トランジスタ,コンデンサ,レジスタ,バリスト,フィューズ,トリマー&ポテンチオメーター,トランスフォーマー,バッテリー,ケーブル,リレー,スイッチ,コネクタ,ターミナルブロッククリステル&オシレーター感受器,センサー,トランスフォーマー,IGBTドライバー,LED,LCD,コンバーター,PCB
(プリント回路板),PCBA (PCBアセンブリ)
強いブランド:
マイクロチップ,MAX,AD,TI,ATMEL,ST,ON,NS,インターシル,ウィンボンド,ヴィシェイ,ISSI,インフィニオン,NEC,フェアチャイルド,オムロン,YAGEO,TDKなど