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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

サンフアン・エレクトロニクス (香港) 株式会社

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IR2111 ICのゲートDRVR HALF-BRIDGE 8DIPインフィニオン・テクノロジーズ

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China IR2111 ICのゲートDRVR HALF-BRIDGE 8DIPインフィニオン・テクノロジーズ wholesale
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IR2111 ICのゲートDRVR HALF-BRIDGE 8DIPインフィニオン・テクノロジーズ
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型式番号 :IR2111
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :在庫
受渡し時間 :3-5の仕事日
包装の細部 :帯電防止袋及び板紙箱
運転された構成 :半橋
チャネル タイプ :同期
運転者の数 :2
ゲートのタイプ :IGBT、N-channel MOSFET
電圧-供給 :10V | 20V
論理の電圧- VIL、VIH :8.3V、12.6V
現在-ピーク出力（源、流し） :250mA、500mA
入れられたタイプ :非逆になること
最高高い側面の電圧- （ブートストラップ） :600ボルト
上昇/落下の時間（タイプ） :80ns、40ns
実用温度 :-40°C | 150°C （TJ）
タイプの取付け :穴を通して
パッケージ/場合 :8-DIP （0.300"、7.62mm）
製造者装置パッケージ :8-PDIP
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IR2111 ICのゲートDRVR HALF-BRIDGE 8DIPインフィニオン・テクノロジーズ

プロダクト細部

記述

IR2111は高圧の、高速力MOSFETであり、依存した高低の側面が付いているIGBTの運転者は半分橋塗布のために設計されている出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を可能にし。論理の入力は標準的なCMOSの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の交差伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。内部deadtimeは出力半橋でシュートによって避けるために提供される。浮遊チャネルが600ボルトまで作動させる高い側面構成のN-channel力MOSFETかIGBTを運転するのに使用することができる。

特徴

•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
+600Vに完全に機能した
否定的で一時的な電圧に耐久性がある
免疫があるdV/dt
•10からの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•CMOSはプルダウン式の入力をSchmitt誘発した
•両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延
•内部的に一定のdeadtime
•入力との段階の高い側面の出力
•また利用できる無鉛

指定

属性 属性値
製造業者 Infineon
製品カテゴリ ゲートの運転者
シリーズ -
タイプ 半橋
包装 管
パッケージ場合 穴を通して
作動温度 80ns、40ns
土台タイプ -40°C | 150°C （TJ）
製造者装置パッケージ 8-DIP （0.300"、7.62mm）
決断ビット 2
データ インターフェイス 同期
電圧供給アナログ 非逆になること
電圧供給デジタル 600V
数のADCsDACs
シグマ デルタ 10ボルト| 20ボルト
S N比率ADCs DACs dbTyp 8.3V、12.6V
動的範囲ADCs DACs dbTyp 250mA、500mA

記述

半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-DIP
商品のタグ：

p-channel mosfet sot-23

bridgelux 3w led chip

triac dimming driver
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