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QDR IIのメモリー チップCY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGAの集積回路の破片250MHz

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QDR IIのメモリー チップCY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGAの集積回路の破片250MHz

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型式番号 :CY7C1514KV18-250BZXI
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :165-FBGA
部品番号 :CY7C1514KV18-250BZXI
記憶容量 :72 Mbit
構成 :2つのM X 36
アクセス時間 :450 ps
最高のクロック周波数 :250のMHz
最高供給の流れ- :790 mA
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QDR IIのメモリー チップCY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGAの集積回路の破片250MHz

 

CY7C1514KV18-250BZXIの製品の説明

CY7C1514KV18-250BZXIは別々のデータの入力およびデータ出力がある、QDR IIの建築を含んでいる1.8ボルトの同期パイプラインSRAMである。

 

CY7C1514KV18-250BZXIの指定

部品番号 CY7C1514KV18-250BZXI
記憶タイプ
揮発
記憶フォーマット
SRAM
技術
SRAM -同期、QDR II
記憶容量
72Mbit
記憶構成
2M x 36
記憶インターフェイス
平行
クロック周波数
250のMHz
電圧-供給
1.7V | 1.9V

 

CY7C1514KV18-250BZXIの特徴

  • 分離した独立した読書およびデータ港を書くため
  • 並行トランザクション プロセシングを支える
  • 350のMHzの時計、高い帯域幅の移動を可能にする
  • 住所入力ののための港を読み、書くために掛け金を降ろすことができる単一の多重型にされた住所入力バス
  • 二重データ転送速度(DDR)インターフェイスの港を書くため読み、700のMHzのデータ転送率を350のMHzで可能にする

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
MC68HC908QT2CPE DIP8
MAX845ESA SOIC-8
LTM8023IV LGA50
STM32L433CCT6 LQFP48
LTM8027IV LGA-113
AD628ARZ SOP8


FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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