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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.

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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFETトランジスタチップ Nチャネル 40V/20.5A

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Shenzhen Anxinruo Technology Co., Ltd.
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China SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFETトランジスタチップ Nチャネル 40V/20.5A wholesale
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SIR422DP-T1-GE3 QFN8 SMD MOSFETトランジスタチップ Nチャネル 40V/20.5A
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モデル番号 :SIR422DP-T1-GE3
産地 :原作
記述 :MOSFET, -
動作温度 :-55℃～150℃、-55℃～150℃（TJ）
シリーズ :閣下
タイプ :MOSFET トランジスタ
D/C :23歳以上
パッケージの種類 :表面マウント
適用する :一般用途,あらゆる種類の電子製品
供給者の種類 :ほか
クロス参照 :-
入手可能なメディア :写真
電流 - コレクター (Ic) (最大) :-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :-
Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :-
電流 - コレクターの切断値 (最大) :-
DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :-
パワー - マックス :5W(Ta),34.7W(Tc)
頻度 - 移行 :-
マウントタイプ :表面の台紙、表面の台紙
パッケージ/ケース :QFN8
抵抗 - ベース (R1) :-
レジスタ - エミッターベース (R2) :-
FETタイプ :Nチャンネル
FETの特徴 :-
流出電圧から源電圧 (Vdss) :-
電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :20.5A
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :6.6 m @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id :2.5V @ 250A
ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :48 NC @ 10ボルト
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :1785 pF @ 20 V
頻度 :-
定位電流 (アンプ) :-
騒音数 :-
電力 - 輸出 :-
定数電圧 :-
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） :-
Vgs (最大) :±20V
IGBTタイプ :FET
構成 :単相
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :-
入力容量 (Cies) @ Vce :1785 pF @ 20 V
インプット :-
NTC サーミストール :-
電圧-故障（V （BR） GSS） :40V
現在-下水管（Idss） @ Vds （Vgs=0） :-
現在の下水管（ID最高） - :-
電圧-締切り（VGS） @ ID :-
抵抗- RDS （） :-
電圧 - 出力 :-
電圧-オフセット（Vt） :-
陽極漏出（Igao）に現在-ゲート :-
現在-谷（iv） :-
現在-ピーク :-
トランジスタタイプ :MOSFET
製品名 :SIR422DP-T1-GE3
元のfromm :元のブランド
Detalis :連絡してください.
輸送する :DHL\UPS\Fedex\EMS\HK ポスト
支払い :パイパール ウェスタンユニオン
条件 :新品とオリジナル
保証 :365日保証
品質 :原作 高品質
電圧 :-
申請 :スタンダード
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製品の説明
製品タイプ:
シングル電界効果トランジスタMOSFET
モデル番号:
SIR422DP-T1-GE3
シリーズ:
SIR
ベンダー:
VISHAY
パッケージ:
QFN8
スタイルのインストール:
表面実装
新品およびオリジナル
SIR422DP-T1-GE3QFN8 シングル電界効果トランジスタMOSFETは、当社のベストセラーICチップの1つです
連絡先:
Mr.Guo
電話:
+86 13434437778
メール:
XCDZIC@163.COM
Wechat:
0086 13434437778
梱包と配送
数量（個）
1-100
100-1000
1000-10000
リードタイム（日）
3-5
5-8
交渉中
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会社概要
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