これらの元素は,高温でシリコンカービッドを再結晶することによって形成された自己結合シリコンカービードである.高純度シリコンカービッドの3本の棒で構成され,片端にシリコンカービッドの横棒で接続されている.SGC要素は,標準の浮遊ガラス浴室に垂直設置のために設計され,SGD要素は水平設置のために設計されています.3相電源に直接接続できる. 端末を炉の屋根から引き出すことができる,片側端末型である..

4シリコン・カービッド・シングル・スピラル・およびシリコン・カービッド・ダブル・スピラル:

シリコンカービッド粉末から作られ,単体および二次スプリールシリコンカービッド加熱要素の2つの形があります.彼らはあらゆる種類のオーブンと炉で使用されています.

SIC暖房要素の物理特性

固有重力	2.6~2.8g/cm3	曲がり強度	>300kg
硬さ	>9MOH?? S	張力強度	>150kg/cm3
孔隙率	<30%	放射性	0.85

推奨された表面負荷と異なる動作温度における要素の表面への影響

大気	オーブンの温度 ((°C)	表面負荷 ((W/cm2)	杖に対する影響
アモニア	1290	3.8	SiCへの作用によりメタンが生成され,SiO2の保護膜が破壊される.
二酸化炭素	1450	3.1	腐食したSiC
炭化物	1370	3.8	炭素粉末を吸収し,SiO2の保護フィルムに影響を与える
ハロゲン	704	3.8	SiCを腐食し,SiO2の保護フィルムを破壊する
水素	1290	3.1	SiCへの作用によりメタンが生成され,SiO2の保護膜が破壊される.
窒素	1370	3.1	SiCへの作用により,シリコンナイトリドの隔熱層が生成される.
ナトリウム	1310	3.8	腐食したSiC
シリコン二酸化物	1310	3.8	腐食したSiC
酸素	1310	3.8	SiC酸化
水蒸気	1090年〜1370年	3.1-3.6	SiCへの作用によりシリコン水化物が生成される
炭水化物	1370	3.1	熱気汚染を発生させた

使用と設置に関する注意事項:

1暖房機の性能を確保するために,貯蔵または設置中に湿度から保護する必要があります.

2熱装置は,各組の湿度が適切に分散されていることを確認するため,組み立て前に分断されるべきである.各組の抵抗の許容量は互いに10%を超えない.

3暖炉は硬くて壊れやすいので,損傷を避けるために,組み立てたり,維持したりする際には注意してください.

4電気炉を起動する際には,電圧はゆっくりと上昇し,一度に完全に負荷をかけることはできません.暖房の損傷を起こす.

5. ヒーターが破損して交換する必要がある場合,新しいものに対する抵抗は増加する抵抗に従ってください. 多くのものが破損または抵抗があまりにも増加した場合,ヒーターを交換する必要があります.

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