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6-12インチ 1064nm SiC基板レーザー分離システムマシン ウェーハ カスタマイズ
レーザーリフトオフ（LLO）システムは、高エネルギーパルスレーザーを利用して界面で選択的な材料分離を実現する高度な精密加工技術です。この技術は、半導体製造、フレキシブルエレクトロニクス、光電子デバイス、エネルギー分野で広く応用されています。その主な利点には、非接触加工、高解像度制御、マルチマテリアル互換性があり、MicroLEDマス転写、フレキシブルディスプレイ製造、半導体ウェーハレベルパッケージングなどの用途に不可欠です。
会社のサービスハイライト:
カスタマイズされたソリューション: 研究開発および量産をサポートするために、レーザー波長（193nm～1064nm）、出力（1W～100W）、自動化統合を調整。
プロセス開発: レーザーパラメータの最適化、ビームシェーピング設計、および検証サービス（例：サファイア基板のUVレーザーLLO）。
スマートメンテナンス: 統合されたリモートモニタリングと障害診断により、24時間365日の運用サポートを<2時間の応答時間で保証。
| パラメータ | 代表的な値 | 備考 |
| レーザータイプ | エキシマ（193nm/248nm）、フェムト秒（343nm/1030nm） | パルス幅5～20ns、ピーク出力>10kW |
| 処理エリア | 最大150mm×150mm | マルチステーション並列処理 |
| 処理速度 | 50～300mm/s | 材料とレーザー出力ごとに調整可能 |
| リフトオフ厚さ | 10nm～20μm | 層ごとの剥離能力 |
| システム統合 | EFUクリーンユニット、排ガス処理システム | ISO 14644の清浄度準拠 |
LLOは、材料界面での選択的アブレーションを通じて動作します。
レーザー照射: 高エネルギーパルス（例：エキシマまたはフェムト秒レーザー）は、ターゲット界面（例：サファイア-GaN）に焦点を当て、光熱/光化学反応を誘発します。
界面分解: レーザーエネルギーはガス化（例：GaN → Ga + N₂）を引き起こし、プラズマと熱応力を生成して制御された剥離を行います。
材料収集: 剥離された微細構造は、真空吸引または流体ダイナミクスを介して捕捉され、汚染のない転写を保証します。
主要技術:
| 特徴 | 技術仕様 | アプリケーション |
| 非接触加工 | 光学系を介してレーザーエネルギーを伝送し、脆弱な材料への機械的ストレスを回避 | フレキシブルOLED、MEMS |
| 高精度 | 位置決め精度±0.02mm、エネルギー密度制御±1% | MicroLED転写、サブμmパターニング |
| マルチマテリアル互換性 | UV（CO₂）、可視（緑）、IRレーザーをサポート。金属、セラミック、ポリマーと互換性あり | 半導体、医療機器、再生可能エネルギー |
| インテリジェント制御 | 統合されたマシンビジョン、AI駆動のパラメータ最適化、自動ローディング/アンローディング | 生産効率30％以上向上 |
1. 半導体製造
2. フレキシブルエレクトロニクス
3. 医療機器
4. 再生可能エネルギー
1. Q: レーザーリフトオフシステムとは何ですか？
A: レーザーリフトオフシステムは、高エネルギーパルスレーザーを使用して界面で材料を選択的に分離し、MicroLEDマス転写やフレキシブルエレクトロニクス製造などのアプリケーションを可能にする精密加工ツールです。
2. Q: どのような業界でLLOシステムが使用されていますか？
A: LLOシステムは、半導体製造（ウェーハレベルパッケージング）、フレキシブルエレクトロニクス（折りたたみ式ディスプレイ）、医療機器（センサー製造）、および再生可能エネルギー（太陽電池）で不可欠であり、非接触、高解像度加工を提供しています。
タグ: #6-12インチ、#1064nm、#SiC基板レーザー分離システムマシン、#ウェーハカスタマイズ
