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鉱山での大きな損失を招く電源の故障に 疲れましたか? K39N60W5 シリコンNチャネルMOSFETに アップグレードしてください.このMOSFETは600Vの電圧と39Aの電流を指定していますアントマイナー電源のアプリケーションのニーズに最適です
RDS ((ON) = 0.055 Ohm (典型) の低排水源のオン抵抗を含むMOSFETの優れた品質,およびその革新的なスーパージャンクション構造DTMOS,それはあなたの鉱山リグのための最良の選択にする.Vth = 2.7 から 3.7 V (VDS = 10 V,ID = 1.9 mA) との制御が簡単なゲートスイッチと強化モードは,あなたの電源が最大効率で動作することを保証し,長期的にはお金を節約します.TK39N60W5 モスフェットにより 鉱山の性能を向上させると確信できます
|
排水源電圧 |
VDSS |
600 |
V |
|
ゲートソースの電圧 |
VGSS |
±30 |
V |
|
流出電流 (DC) |
ID |
38.8 |
A について |
|
流出電流 (パルス) |
IDP |
155 |
A について |
|
電力消耗 |
PD |
270 |
W |
|
単パルス・雪崩エネルギー |
EAS |
608 |
mJ |
|
雪崩の流れ |
IAR |
9.7 |
A について |
|
逆流出電流 (DC) |
IDR |
38.8 |
A について |
|
逆流出電流 (パルス) |
IDRP |
155 |
A について |
|
チャンネル温度 |
Tch について |
150 |
C について |
|
保存温度 |
Tstg |
-55から150 |
C について |
|
マウントトルク |
TOR |
0.8 |
N m |