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バイポーラトランジスタ

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

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BC848BW-7-F IC BJT 高周波低飽和電圧ロバスト

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モデル番号 :BC848BW-7-F

原産地 :米国

最低注文数量 :1

支払い条件 :T/T

納期 :5～8営業日

梱包の詳細 :SMD/SMT DO-214AC-2

製品 :バイポーラトランジスタ - バイポーラ接合トランジスタ (BJT)

インストールスタイル :SMD/SMT

シリーズ :BC848B

パッケージ/ボックス :SOT-323-3

カプセル化 :リール，カットテープ，マウスリール

製品タイプ :BJT - 双極トランジスタ

単重 :5mg

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メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ-バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-323-3
トランジスタ極性: NPN
構成: シングル
最大DCコレクタ電流: 100mA
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 30 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 30 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 5 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 200 mV
Pd - 消費電力: 200mW
ゲイン帯域幅積 ft: 300MHz
最小動作温度: -65 C
最大動作温度: +150 C
シリーズ: BC848B
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
梱包: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
DCコレクタ/ベースゲイン hFEmin: 200
高さ: 1 mm
長さ: 2.2 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 1.35 mm
単位重量: 5 mg

BC848BW-7.pdf

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