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メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: バイポーラトランジスタ-バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-89-3
トランジスタ極性: PNP
構成: シングル
最大DCコレクタ電流: 2 A
最大コレクタ-エミッタ間電圧 VCEO: 100 V
コレクタ-ベース間電圧 VCBO: 110 V
エミッタ-ベース間電圧 VEBO: 7 V
コレクタ-エミッタ間飽和電圧: 220 mV
Pd - 消費電力: 4.46 W
ゲイン帯域幅積 fT: 142 MHz
最小動作温度: -55 C
最大動作温度: +150 C
シリーズ: ZXTP191
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
エンキャプシュレーション: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
DCコレクタ/ベース間ゲイン hfemin: 100mAで200、2V、1Aで70、2V、2Aで20、2V
最大DC電流ゲイン hFE: 200
高さ: 1.6 mm
長さ: 4.6 mm
製品タイプ: BJT - バイポーラトランジスタ
サブカテゴリ: トランジスタ
幅: 2.6 mm
ユニット重量: 52 mg