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バイポーラトランジスタ

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

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FDMC8854 MOSFET 30V N-Ch Power Trench MOSFET

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モデル番号 :FDMC8854

原産地 :米国

最低注文数量 :1

支払い条件 :T/T

納期 :5～8営業日

梱包の詳細 :SMD/SMTパワー-33-8

製品 :MOSFET

インストールスタイル :SMD/SMT

パッケージ/ボックス :パワー33-8

テクノロジー :si

カプセル化 :リール，カットテープ，マウスリール

シリーズ :FDMC8854

製品タイプ :モスフェット

単重 :165.330mg

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製品の説明を表示

メーカー：onsemi
製品カテゴリ：MOSFET
テクノロジー：si
実装タイプ：SMD/SMT
パッケージ/ケース：power-33-8
トランジスタ極性：Nチャネル
チャンネル数：1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間耐圧：30 V
Id - 連続ドレイン電流：15 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗：5.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧：-20 V、+20 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間スレッショルド電圧：1 V
Qg - ゲート電荷：41 nC
最小動作温度：-55 C
最大動作温度：+150 C
Pd - 消費電力：2 W
チャンネルモード：エンハンスメント
パッケージ：リール
パッケージ：カットテープ
商標：onsemi/Fairchild
構成：シングル
降下時間：5 ns
順方向トランスコンダクタンス-最小：60 S
高さ：0.8 mm
長さ：3.3 mm
製品タイプ：MOSFET
立ち上がり時間：5 ns
シリーズ：FDMC8854
サブカテゴリ：トランジスタ
トランジスタタイプ：1 Nチャネル
標準ターンオフ遅延時間：31 ns
標準ターンオン遅延時間：13 ns
幅：3.3 mm
単位重量：165.330 mg

FDMC8854.pdf

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