Transistor Polarity :N-Channel
Technology :GaN SiC
Product Category :RF JFET Transistors
Mounting Style :SMD/SMT
Gain :19.2 dB
Transistor Type :HEMT
Output Power :46.4 dBm
Package / Case :Die
Maximum Operating Temperature :+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :32 V
Packaging :Waffle
Maximum Drain Gate Voltage :100 V
Id - Continuous Drain Current :2.5 A
Pd - Power Dissipation :41 W
Manufacturer :Qorvo
Description :RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
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