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DTD123ECT116 バイポーラ トランジスタ 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 面実装 SST3
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タイプ
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説明
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|---|---|
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カテゴリー
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ディスクリート半導体製品
トランジスタ
双極性障害 (BJT)
シングル、プリバイアスされたバイポーラ トランジスタ
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製造元
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ローム
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シリーズ
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-
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製品の状態
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アクティブ
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トランジスタの種類
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NPN - プリバイアス
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電流 - コレクタ (Ic) (最大)
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500mA
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電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
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50V
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抵抗 - ベース (R1)
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2.2キロオーム
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抵抗 - エミッタ ベース (R2)
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2.2キロオーム
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DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce
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39 @ 50mA、5V
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Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic
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300mV @ 2.5mA、50mA
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電流 - コレクタカットオフ (最大)
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500nA
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周波数 - 遷移
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200MHz
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パワー - 最大
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200mW
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取付タイプ
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表面実装
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パッケージ・ケース
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TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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サプライヤーデバイスパッケージ
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SST3
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基本製品番号
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DTD123
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環境および輸出の分類
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | ROHS3準拠 |
| 感湿性レベル (MSL) | 1 (無制限) |
| リーチステータス | REACHは影響を受けない |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
特徴DTD123ECT116の
1) バイアス抵抗を内蔵しているため、外部接続なしでインバータ回路が構成可能
外部入力抵抗。(等価回路を参照)
2) バイアス抵抗は、入力の負バイアスを可能にする完全な絶縁を備えた薄膜抵抗で構成されています。彼らも持ってる
寄生効果をほぼ完全に排除できるという利点があります。
3）ON/OFF条件を設定するだけで動作するため、装置設計が容易です。
